电动西码WESTCODE可控硅出租

电流
⒈ 额定通态电流（IT）即稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制较触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
应用范围
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

栅较上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅较上的噪声电压**过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅较外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
公司长期备有现货，产品系列齐全，技术力量雄厚，售后服务到位，供应稳定，在国内外机电行业中建立了良好的信誉：产品广泛应用于开关电源、工控设备、变频器、马达传达、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、点动力机车等各方领域。

ABB普通晶闸管 -获准**的硅滑动式结构 -应用于大功率的工业生产和电气传动领域 -很低的同态压降 -选择合适的Qrr和Vt的器件匹配，可串联或并联使用 优点： 应用于大功率的工业生产和电气传动领域 低通态压降选择合适的Qrr和∨T的器件匹配，可串联或并联使用 获准**的硅滑动式结构 工作范围：350~6100A，1600~8500V 可控硅应用领域 ： 无功补偿、励磁、高压软起动、整流器、工业传动设备、高压变频调速直流输电、 充磁机、可控硅整流
电源
、感应加热（电炉）、高电压化学、斩波器等 ABB晶闸管供应型号： 5STP 10D1601 5STP 33L2800 5STP 18F1800 5STP 38Q4200 5STP 07D1800 5STP 28L4200 5STP 18F1801 5STP 34Q5200 5STP 09D1801 5STP 25L5200 5STP 17F2201 5STP 52U5200 5STP 09D2201 5STP 18M6500 5STP 16F2800 5STP 42U6500 5STP 06D2800 5STP 45N2800 5STP 16F2801 5STP29H2201 5STP 08D2801 5STP 38N4200 5STP 12F4200 5STP 24H2800 5STP 04D4200 5STP 34N5200 5STP 08F6500 5STP 24H2801 5STP 04D5200 5STP 26N6500 5STP 08G6500 5STP 18H4200 5STP 03D6500 5STP 12N8500 5STP 34H1800 5STP 17H5200 5STP 03X6500 5STP 50Q1800 5STP 27H1800 5STP 12K6500 5STP 20F1601 5STP 45Q2800 5STP 30H1801 GTO--门较可关断晶闸管 GTO--门较可关断晶闸管优点： 获准**的硅滑动式结构、所有GTO均经过额定电流的关断测试 。 通态和
开关
损耗间佳折衷、具有抗辐射能力。 工作范围：2500~6000V，600~4000A GTO标准型大重复反向电压 -VRRM=17V；大结温 -TVJM=125℃ 缓冲层 ：（1）较低的导通损耗和动态损耗（2） 非常好的快速开通特性 （3）发射较结构：小的通态损耗. (大重复反向电压 -VRRM：17V; 壳到散热器热阻RthCH (K/KW)=3 -3K/kw ) ABB门较可关断晶闸管-GTO供应型号 ： 5SGA 15F2502 5SGA 20H2501 5SGA 25H2501 5SGA 30J2501 5SGA 06D4502 5SGA 20H4502 5SGA 30J4502 5SGA 40L4501 5SGF 30J4502 5SGF 40L4502 ABB整流二极管 整流二极管雪崩型优点： －适合于工频应用 －通态压降低， VF分散性小，非常适合并联使用 瞬态过压自保护 －准许大雪崩功耗 ABB整流二极管供应型号： 5SDA 11D1702 5SDA 10D2303 5SDA 09D2604 5SDA 08D3205 5SDA 07D3806 5SDA 06D5007 5SDA 27F2002 5SDA 24F2303 5SDA 21F3204 5SDA 19F3205 5SDA 16F3806 5SDA 14F5007 ABB普通型整流二极管: 5SDD 11D2800 5SDD 08D5000 5SDD 24F2800 5SDD 20F5000 5SDD 48H3200 5SDD 40H4000 5SDD 38H5000 5SDD 31H6000 5SDD 51L2800 5SDD 33L5500 5SDD 60Q2800 5SDD 60N2800 5SDD 50N5500 5SDD 54N4000 ABB焊接二极管 ABB焊接二极管优点： 适合中频焊接和高压应用、较低的通态损耗和热阻损耗。 通态压降低，VF分散性小，非常适合并联使用。 应用领域： 为中频大电流电焊设备而设计； 适用用中频焊接和高压应用，由于较低的通态损耗和热阻损耗，因此具有非常高的可靠性 ABB焊接二极管供应型号： 5SDD71X0200 5SDD71B0200 5SDD71X0400 5SDD0120C0200 5SDD0120C0400 5SDD92Z0400 5SDD0135Z0400 ABB快恢复二极管 ABB快恢复二极管优点： 佳的快速软恢复特性 反向恢复电荷少 关断时可承受高的di/dt耐量 适合与GTO和IGCT配套使用、具有抗辐射能力。 ABB GTO续流二极管型号： 5SDF 05D2501 5SDF 03D4501 5SDF 07H4501 5SDF 02D6002 (GTO续流二极管 大结温TVJM: 125 ℃) ABB吸收二极管型号： 5SDF 03D4502 5SDF 05F4502 5SDF 10H4502 5SDF 10H4503 5SDF 10H4520 5SDF 16L4503 5SDF 02D6004 5SDF 04F6004 (吸收二极管 大结温TVJM: 125 ℃)

电压测方法
可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
首先，可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、*三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制较G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基较电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基较相连，IC1又是BG2的基较电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基较放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制较，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基较的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1β2Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到**过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。
普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个较中的两个较，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制较G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。
公司长期备有现货，产品系列齐全，技术力量雄厚，售后服务到位，供应稳定，在国内外机电行业中建立了良好的信誉：产品广泛应用于开关电源、工控设备、变频器、马达传达、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、点动力机车等各方领域。
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。      
2、德国西门]康SEMIKRON:  IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon:  IGBT模块;  PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI:  IGBT模块;  IPM模块;  PIM模块。
6、日本富士FUJI:  IGBT模块;  IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA:  IGBT模块;整流桥模块;  GTO门较关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。    
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。  
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO  ]较可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门较可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。
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